8月8日，在成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項目（以下簡稱“芯未項目”）的施工現(xiàn)場，成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)人一次性領(lǐng)取了《建設(shè)用地規(guī)劃許可證》《建設(shè)工程規(guī)劃許可證》《建筑工程施工許可證》以及《不動產(chǎn)權(quán)證書》“四證”，項目隨即啟動快速建設(shè)工作，預(yù)計明年8月即可建成投產(chǎn)。

　　記者了解到，工業(yè)項目從拿地到動工建設(shè)一般需花費約150個自然日，“芯未項目”則用時不到5個工作日，全面刷新了拿地建設(shè)時間紀(jì)錄。

　　深化“標(biāo)準(zhǔn)地”改革，推行“拿地即開工”營商環(huán)境優(yōu)化，這是成都高新區(qū)當(dāng)前正全力推進的一項重要工作，“芯未項目”作為有效支撐產(chǎn)業(yè)建圈強鏈的一個縮影，將為后續(xù)項目快速落地提供寶貴經(jīng)驗。

　　資料顯示，成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，是成都高新投資集團有限公司與成都森未科技有限公司合資設(shè)立的法人企業(yè)，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率半導(dǎo)體芯片及產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)、銷售，是我國IGBT芯片領(lǐng)域的重要創(chuàng)新力量。

　　“在國家出臺系列政策支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體行業(yè)市場迎來了廣闊的發(fā)展前景。”成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，項目總投資約10億元，建成投產(chǎn)后將為包括森未科技在內(nèi)的功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組件產(chǎn)品等，預(yù)計有望實現(xiàn)年營收9億元、年稅收7000萬元。

　　同時，成都高新西區(qū)發(fā)展建設(shè)指揮部堅持以建設(shè)全面體現(xiàn)新發(fā)展理念的公園城市示范區(qū)為引領(lǐng)，劃定25平方公里重點片區(qū)打造公園城市智造發(fā)展示范區(qū)，瞄準(zhǔn)打造‘集成電路+新型顯示’世界級電子信息產(chǎn)業(yè)集群，建設(shè)智造發(fā)展示范區(qū)，力爭電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1萬億元，推動成都高新西區(qū)從傳統(tǒng)工業(yè)園區(qū)向公園城市智造發(fā)展示范區(qū)轉(zhuǎn)變。